單晶硅壓力(差壓)變送器如何確保測量精度
單晶硅差壓變送器是20世紀80年代研制開(kāi)發(fā)的新式差壓變送器,它運用單晶硅諧振傳感器,選用微電子外表加工技能,還可結束反抗靜壓、溫飄對其影響。因為配備了低噪聲調制解調器和開(kāi)放式通訊協(xié)議,現在的單晶硅差壓變送器可結束數字無(wú)損耗信號傳輸。
單晶硅壓力傳感器具有高精度和高穩定性,通常能夠達到±0.075%FS(滿(mǎn)量程)或更高。制造過(guò)程中采用微米級別的加工技術(shù),使其具備高精度和高穩定性。此外,單晶硅材料本身具有優(yōu)異的物理性質(zhì),如高強度、高硬度、高耐腐蝕性等,也保證了傳感器的精度和穩定性。
此外,單晶硅壓力傳感器還具有大量程遷移比的特點(diǎn),可在較大的壓力范圍內進(jìn)行測量。因此,在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、醫療設備等領(lǐng)域有廣泛應用。需要注意的是,傳感器的精度受到多種因素的影響,如溫度、濕度和壓力等。因此,在使用過(guò)程中需要定期校準和維護,以保證其精度和穩定性。
單晶硅電阻器式控制器的輸出協(xié)調性高、信號量大、回差很小,而且電路原理比較簡(jiǎn)約靠譜,因此國際性上較多智能變送器生產(chǎn)商優(yōu)先選擇選用此計劃方案開(kāi)展高檔智能變送器的產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)制造??墒禽^之中文談及的金屬材料電容式傳感器和單晶硅串聯(lián)諧振式控制器, 單晶硅電阻器集成ic的運用具備比較獨特的加工工藝規定。具體表現在
芯片的無(wú)地應力封裝技術(shù)性和硅塑料薄膜的單邊過(guò)壓保護技術(shù)性層面。這兩項運用技術(shù)性在2000年以前緊緊把握在西方國家資本主義國家手上,從2013年之后,麥德勝電氣設備(我國)有限責任公司根據從英國MADSHEN國際貿易公司的技術(shù)性協(xié)作、引入和再產(chǎn)品研發(fā),最后充足把握了多選有關(guān)技術(shù)性,因而保持了高可靠性硅工作壓力、差
變送器在中國規模性生產(chǎn)制造,MDSGP100系列產(chǎn)品和MDSDP系列產(chǎn)品的高可靠性單晶硅智能變送器的精確度基礎理論級別超過(guò)了0.05級,一切正??沙^(guò)0.075級,徹底超過(guò)乃至超出了左右海外著(zhù)名品牌的智能變送器。
橫河EJA系列單晶硅諧振式變送器,較之電容式傳感器其生產(chǎn)過(guò)程中的制造成本控制有一定的優(yōu)勢。主要的優(yōu)勢體現在溫度和靜壓補償環(huán)節中,即:雙諧振回路的原始差動(dòng)信號輸出,而此差動(dòng)信號不被溫度和靜壓的影響,因此對于后期的變送器的溫度補償和靜壓補償等工序環(huán)節操作較為簡(jiǎn)便。其最終的準確度等級到達0.065級,稍遜色于羅斯蒙
3051C/S系列。但是由于單晶硅諧振梁芯片的批量生產(chǎn)技術(shù)被日本橫河公司壟斷,這種單晶硅諧振梁芯片所帶來(lái)的技術(shù)難度和技術(shù)壁壘,同樣不能有效地被中國本土企業(yè)突破,因此幾乎所有的中國制造廠(chǎng)商均放棄了單晶硅諧振式變送器的進(jìn)一步探索和研究。
第三種為德國、瑞士為代表的單晶硅電阻式壓力、差壓變送器。其工作原理為:外界壓差傳遞到內部的單晶硅全動(dòng)態(tài)的壓阻效應惠斯登電橋,惠斯頓電橋在壓力的作用下產(chǎn)生一個(gè)跟隨壓力變化的電壓信號輸出,將這個(gè)電壓信號通過(guò)電子電路收集、放大和軟件補償處理后,就得到壓力信號的線(xiàn)性輸出。
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